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参数目录39870
> IXDP20N60BD1 IGBT 600V 32A W/DIODE TO-220AB
型号:
IXDP20N60BD1
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
IGBT 600V 32A W/DIODE TO-220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
IXDP20N60BD1 PDF
标准包装
50
系列
-
IGBT 类型
NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
2.8V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
32A
功率 - 最大
140W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
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